SiC 병합 쇼트키 다이오드로 전원 공급 장치 신뢰성 향상

이 장치는 병합된 PIN 쇼트키(MPS) 설계를 사용하여 높은 서지 전류 견고성과 낮은 순방향 전압 강하, 용량성 충전 및 역방향 누설 전류를 결합하여 스위칭 전원 설계의 효율성과 신뢰성을 높입니다.

RoHS 준수 및 무할로겐 다이오드는 2,000시간의 고온 역바이어스(HTRB) 테스트와 2,000회의 열 주기 온도 사이클링 테스트를 통과했습니다. 이는 AEC-Q101 요구 사항의 테스트 시간과 주기의 두 배입니다.

장치의 일반적인 응용 분야에는 에너지 생성 및 탐사 응용 분야를 위한 FBPS 및 LLC 컨버터의 AC/DC PFC 및 DC/DC 초고주파 출력 정류가 포함됩니다.

SiC 다이오드의 범위는 TO-22OAC 2L 및 TO-247AD 3L 스루홀 및 D²PAK 2L(TO-263AB 2L) 표면 실장 패키지에서 4~40A입니다. MPS 구조는 이전 세대에 비해 순방향 전압 강하를 0.3V 감소시키며, 순방향 전압 강하 시간 용량성 전하(전력 효율의 핵심 성능 지수(FOM))는 17% 더 낮습니다.

일반적인 역방향 누설 전류는 가장 가까운 경쟁 솔루션에 비해 실온에서 30% 더 낮고 고온에서는 70% 더 낮습니다. 이는 전도 손실을 줄여 경부하 및 공회전 중에 높은 시스템 효율성을 보장합니다. 초고속 다이오드와 달리 Gen 3 장치에는 복구 테일이 거의 없으므로 효율성이 더욱 향상됩니다.

유사한 항복 전압을 갖는 실리콘 다이오드와 비교하여 SiC 장치는 더 높은 열 전도성, 더 낮은 역방향 전류 및 더 짧은 역방향 복구 시간을 제공합니다. 다이오드의 역회복 시간은 온도에 거의 영향을 받지 않으므로 스위칭 손실로 인한 전력 효율 변화 없이 +175°C까지 더 높은 온도에서 작동할 수 있습니다.

부속 #

IF(꺼짐) (A)

IFSM (A)

IF에서의 VF(V)

품질관리(nC)

구성

패키지

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

하나의

D²PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

하나의

D²PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

하나의

D²PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

10

60

1.46

29

하나의

D²PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

하나의

D²PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

16

104

1.5

44

하나의

D²PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

하나의

D²PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

10

60

1.46

29

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

16

104

1.5

44

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

하나의

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2x8

54

1.5

22

공통 음극

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2x10

60

1.46

29

공통 음극

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2x20

110

1.5

53

공통 음극

TO-247AD 3L

새로운 SiC 다이오드의 샘플과 생산 수량은 현재 이용 가능하며 리드 타임은 8주이다.

www.Vishay.com.